.png)
MB S1700 Gigabyte H610M H V3 DDR4 mATX Factor de forma a placii de baza Micro-ATX Socket LGA1700 Chipset Intel H610 Tip Memorie DDR4 SDRAM Capacitate max. Totala RAM 64GB Sloturi memorie 2x DIMM Frecven%3Fa memorie 3200 MHz
Артикул: GA_H610M H V3 DDR4
ИД: 9857901904347
Кредит 0%
Подарок
96 лей
Акция
Подарок96 лей
Акция
1609лей
269 лей/мес.
Кредит 0% /
6 мес. / 0 лей аванс
*Внимание цена действительна при оформлении заказа онлайн
Гарантия: 36 мес.
+ 96 лей
Подарок на следующую покупку,
подробнее...
В наличии
Доставка по адресу:
Срок доставки до
Выберите ваш город
... дней
Самовывоз из магазина:
- Склады компании
Самовывоз
из магазина
из магазина
Закажи на сайте заберите сегодня
Доставка
по адресу
по адресу
Доставляем в любую точку Молдовы
Nova
Poshta
Poshta
Без комиссии за наложенный платеж
Производитель:
Характеристики
| Свойство | Значение |
|---|---|
| Сокет | — |
| Тип поддерживаемой памяти | DDR4 |
| Количество слотов памяти | 2 |
| PCI Разъёмы | PCI-E 4.0 x16 |
| Видео порты | HDMI, D-sub |
| Тип Аудиовыхода | 3 Порта |
| Порты | 1 порт PS/2 для подключения клавиатуры и мыши 1 порт D-Sub 1 порт HDMI 2 порта USB 3.2 Gen 1 4 порта USB 2.0/1.1 1 сетевая розетка LAN RJ-45 3 разъема аудиоподсистемы |
| Форм-фактор | Micro ATX |
| Графический интерфейс | PCI E x16 4.0 |
| М.2 Интерфейс | 1 шт |
| Максимальная частота памяти | 3200 МГц |
| Количство портов SATA 3, Портов | 4 |
| Чипсет | Intel H610 |
Описание
Цифровой гибридный модуль питания, 4+1+1 фазы
Качественная подсистема питания – это комфортный температурный режим для ЦП и стабильная работа системы на максимальной частоте при любом уровне нагрузки.
- 4+1+1 Phases Low RDS(on) MOSFETs.
- Твердотельные конденсаторы призваны ускорить отклик системы за счет сокращения времени на выполнение переходных процессов.
- Цельнометаллические контакты 8-pin разъема питания ЦП
Подсистема памяти
Максимальный объем ОЗУ на материнской плате H610-серии может достигать 64 Гбайт. После обновление компанией Intel эталонного кода применительно к подсистеме памяти, DIMM-разъем на материнской плате может поддерживать единичные модули объемом до 32 Гбайт. Таким образом, для варианта с модулями ОЗУ, установленными в два DIMM-разъема (2-канальный режим работы), суммарный объем памяти составляет 64 ГБ. Ранее такая опция была реализована только применительно к HEDT платформам (High End Desktop). Пользователи, которым необходим значительный объем ОЗУ, отныне получили в свое распоряжение скоростную и емкую подсистему памяти, которая будет востребована в приложениях интенсивно задействующих ОЗУ, в частности, рендеринг и редактирование аудио/видео контента.
Контроллер GbE LAN, средства мониторинга и управления полосой пропускания
M.2-разъем NVMe PCIe Gen3 x4
Материнские платы GIGABYTE адресованы энтузиастам, которые практикуют применение M.2-технологических решений с целью наиболее полно раскрыть потенциал дисковой подсистемы.
Усиленные контакты разъема питания
Материнские платы GIGABYTE H610-серии оснащены разъемами питания ATX 12 В с твердотельными контактами с целью обеспечить стабильного питание ЦП при любом уровне нагрузки.
Преимущества цельнометаллических контактов
- Увеличенная площадь соприкосновения для электроконтакта
- Масса металла выдерживает большую нагрузку и лучше рассеивает тепло
- Высокая надежность и продолжительный срок службы
*Сопровождающие товар фотографии и описание может отличаться от оригинала. Производитель может изменять дизайн, технические характеристики и комплектацию изделия без уведомления об этом продавца. Уточняйте важные для Вас параметры при заказе.
Будьте первым — напишите ваш отзыв об зтом товаре!